職 稱：教授 研究方向：二維狄拉克半導體材料與光電子學 聯系電話：18908319866 E-mail：2023002024@usc.edu.com |
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個人簡介
趙洪泉，九三學社社員，2003网站太阳集团教授，博士生導師。1978年9月出生于湖南湘潭，2013年從日本大阪大學産業科學研究所JSPS研究員崗位回國，2013年1月入選中國科學院半導體所“百人計劃”研究員，2013年4月加入中國科學院重慶綠色智能技術研究院，建立量子信息技術研究中心，任研究員，博士生導師，中心主任。2016年8月入選中國科學院“西部青年學者A類人才”，2020年10月入選“重慶英才·名家名師”，2022年入選“重慶市青年科技領軍人才”。2024年8月入職2003网站太阳集团。近年來主要在二維狄拉克半導體材料及其光電子學方向開展研究工作。
在Research、Advanced Materials，Advanced Functional Materials、Advanced Optical Materials、Nanoletters、Nanoscale、ACS AMI、Applied Surface Science、Physical Review A等國際一流SCI期刊上發表論文70餘篇。2013年回國以來，主持國家自然科學基金面上項目、軍科委基礎加強基金項目、總裝領域基金項目、重慶市基礎前沿重大項目、重慶市自然科學重點項目等共計12項。曾任重慶大學兼職博士生導師，湖南大學、西南大學、重慶郵電大學、湘潭大學、重慶理工大學等客座研究生導師。
近期主要論著
1. Supersensitive and Broadband Photodetectors Based on High Concentration of Er3+/Yb3+ Co-doped WS2 Monolayer，Adv. Optical Mater. 2023, 2302229. (通訊作者)
2. 2D WS2(Yb)/3D Te Mixed-Dimensional Van der Waals p–p Heterostructure with High Optoelectronic Performance，Adv. Optical Mater. 2024, 2401724. (通訊作者)
3. High photoresponse detectors based on Yb-doped monolayer WS2 nanosheets，Applied Surface Science 652, 159287, 2024. (通訊作者)
4. Tunable electronic and optical properties of WSe2/Si2H heterojunction via electric field,Phys. Scr. 99, 025986, 2024. (通訊作者)
5. Enhanced Photoluminescence and Random Lasing Emission in TiO2-Decorated FAPbBr3 Thin Films,Nanomaterials 652, 159287, 2024. (通訊作者)
6. Preparation of Mixed Few-Layer GeSe Nanosheets with High Efficiency by the Thermal Sublimation Method,ACS Applied Materials & Interfaces 15 (33), 39732-39739, 2023. (通訊作者)
7. Two-dimensional WS2/WSe2(Er) heterojunction for high performance photodetectors,Adv. Mater. Tech.DOI: 10.1002/admt.202302095, 2024. (通訊作者)
8. Broad band Modulation of two-dimensional Mo1-xWxS2by variational compositions,J. Phys. D.57, 315109, 2024. (通訊作者)
9. Significantly Improved Optoelectronic Performances of Two-Dimensional WS2(Er3+)/WSe2(Er3+) van der Waals heterojunctions,Materials Today Chemistry38, 102077, 2024. (通訊作者)
10. Engineering of vacancy defects in WS2 monolayer by rare-earth (Er, Tm, Lu) doping: A first-principles study, Phys. Status Solidi B 2300055, 2023.(通訊作者)
