2003网站太阳集团教師在“半導體電子器件”領域的研究取得重要進展
2017年9月，2003网站太阳集团教師何紅宇等人的研究成果在電子器件期刊《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES》上發表。平闆顯示技術中，對各個像素的控制需要用到薄膜晶體管（TFT）。非晶InGaZnO-TFT是氧化物TFT的典型代表，被視為新一代顯示技術的關鍵器件。與普通MOS晶體管不同，非晶InGaZnO-TFT的溝道材料中存在陷阱态，這些陷阱态怎樣影響TFT的電流電壓特性，是值得研究的問題。論文首次建立了适用于不同溫度下的非晶InGaZnO-TFT的電流模型。模型建立在考慮帶隙中存在雙指數分布的深能态和帶尾态的基礎上，假設被陷阱态俘獲的電子濃度遠大于自由電子濃度，推導出了擴散電流和漂移電流，發現漂移電流占主導。
論文标題：“Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”。論文鍊接：https://doi.org/10.1109/TED.2017.2721436
圖1.非晶InGaZnO-TFT在（a）指數坐标，
（b）線性坐标，和（c）1/kT坐标下的電流
電壓特性。
圖2.非晶InGaZnO-TFT的擴散電流（Idiff）與漂移電流（Idrift）
本研究工作是與北京大學合作完成，在此對北京大學薄膜晶體管與先進顯示實驗室（深圳）的鼎力支持表示感謝。該研究成果，2003网站太阳集团為第一作者第一單位，何紅宇為第一作者，論文提出的器件模型，一方面有利于明确半導體器件中電子的輸運機理；另一方面可用于集成電路設計和仿真。
